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• 硅基先进工艺集成与器件（招收推免及卓博计划学生）
  1. 硅-二维 异质集成
  2. 先进节点工艺集成
  3. 新型逻辑与存储器件（CFET，FinFET，DRAM，低亚阈摆幅）
• 半导体传感器件（招收推免及卓博计划学生）
1. 高性能图像与光电传感(PISD，ICPD，波长探测器)
2. 纳米结构增强光电与气体传感

• 人工智能与芯片应用系统设计（与企业联合培养）
  1. 人工智能应用于集成电路设计
  2. 智能半导体参数测试仪

小组长期招聘博士后（半导体器件工艺方向）

• IEEE Senior member
• 多个IEEE国际会议分会主席和技术委员，如IEEE S3S，IEEE ICSICT，IEEE IWJT，IEEE ICTA 和IEEE ICICDT等
• 多个会议邀请报告，如半导体青年学术会议，光学工程学会，IEEE ICSICT，IEEE IWJT，IEEE ICTA ，IEEE ICICDT，IEEE ICICM等
• Nature Electronics，IEEE EDL，IEEE TED，IEEE TDMR, Applied physics letters, Solid-state electronics, Microelectronics Journal和Journal of applied physics等杂志审稿人

• 2019-2021----指导研究生连续三年获IEEE CSTIC 国际会议优秀学生论文奖
• 2021----PSSA 杂志60周年封面文章
• 2021---指导研究生获国家奖学金2人次
• 2020---国家级一流本科课程（半导体器件与物理）
• 2019---指导研究生获国家奖学金
• 2019---指导研究生获 复旦-KLA 企业奖学金（全校12人之一）
• 2019---半导体器件顶级期刊 IEEE EDL 封面文章
• 2019----上海市青年科技启明星
• 2016----海外高层次引进人才青年项目

• 2014----IEEE EDL金牌审稿人

• 2013----法国纳米科学基金委优秀博士论文奖

• 2012----提名IEEE EDL, George E. Smith 奖

• 2012----VLSI-TSA最佳会议报告奖

• 2012----EuroSOI最佳会议报告奖

• 2009----上海市优秀硕士论文

• 2012.10 至 2016.08 Globalfoundries公司，Malta，美国，高级工程师

• 2009.07至2012.10   法国格勒诺布尔大学   纳米电子与纳米技术博士 （CNRS，CEA-LETI）

• 2006.09至2009.07   复旦大学   微电子与固体电子学硕士

• 2001.09 至2005.07   南昌大学   电子信息工程学士

•  
• 半导体器件物理，研究生必修课；
•  
• 现代CMOS器件，研究生选修课；
•  
• 电子系统导论，本科生必修课；

一作/通信发表SCI/EI 100余篇，申请发明专利50余项。

代表作：

[1]     Nature Electronics, 6, 37–44 (2023). //doi.org/10.1038/s41928-022-00881-0

[2]     Nature Communications, 15(1), p.9782 (2024). //doi.org/10.1038/s41467-024-54218-w

[3]     Nature Communications, 15, 9038(2024)

[4]     Nature Communication, 12, 5953 (2021) 10.1038/s41467-021-26230-x

[5]     IEEE Electron Device Letters, 45, 2209-2212(2024) 10.1109/LED.2024.3464647.

[6]     IEEE Electron Device Letters, 45, 558-561 (2024).

[7]     IEEE Electron Device Letters, 45, 124-127 (2024).

[8]     IEEE Electron Device Letters, 44, 983-986 (2023)

[9]     IEEE Electron Device Letters, 44, 160-163 (2023)，10.1109/LED.2022.3219465

[10]  IEEE Electron Device Letters, 43, 128-130 (2022), 10.1109/LED.2021.3129347

[11]  IEEE Electron Device Letters, 42, 927, (2021) doi: 10.1109/LED.2021.3073930.

[12]  IEEE Electron Device Letters, 42, 1830-1833, (2021)

[13]  IEEE Electron Device Letters, 42, 927, (2021)

[14]  IEEE Electron Device Letters, 40, 738-741 (2019) 封面文章

[15]  IEEE Electron Device Letters. 40, 423-426 (2019)

[16]  IEEE Electron Device Letters, 34, 24 (2013)

[17]  IEEE Electron Device Letters, 33, 179 (2012).

[18]  IEEE Transactions on Electron Devices, 71, 5874-5880, (2024).

[19]  IEEE Transactions on Electron Devices, 71, 3532 – 3539, (2024).

[20]  IEEE Transactions on Electron Devices, 71, 4045 – 4049, (2024)

[21]  IEEE Transactions on Electron Devices, 70, 871-876 (2023)

[22]  IEEE Transactions on Electron Devices, 70, 1236 - 1242 (2023)

[23]  IEEE Transactions on Electron Devices, 69, 4976-4980 (2022)

[24]  IEEE Transactions on Electron Devices, 69, 5368-5372 (2022)

[25]  IEEE Transactions on Electron Devices, 69, 4075–4080  (2022)

[26]  IEEE Transactions on Electron Devices, 68, 9, 4485-4490 (2021)

[27]  IEEE Transactions on Electron Devices, 68, 9, 4748-4753 (2021)

[28]  IEEE Transactions on Electron Devices, 3256, 67, (2020).

[29]  IEEE Transactions on Electron Devices, 65, 5412-5418, (2018).

[30]  IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, 73, 9510006, (2024)

[31]  IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, 73, 4004808, (2024)

[32]  IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems (IEEE TCAD), 42， 1250-1254 （2022）

[33]  Advanced Functional Materials, 33, 2304778, (2023)

[34]  Advanced Functional Materials, 29, 1906242 (2019)

[35]  Small, 16, 2001428, (2020)

[36]  Small, 16, 1904369, (2020)

[37]  Nano Research, 12, 2515-2519, (2019)

[38]  Nano Research, 11, 3739 (2018)

[39]  Phys. Status Solidi A. 218，200751, (2021) 60周年创刊封面文章

[40]  Appl. Phys. Lett. 106, 016101 (2015).

[41]  Appl. Phys. Lett. 97, 243503 (2010).